在半导体行业中，镀膜技术的选择是影响产品质量和性能的重要因素。今天将为大家介绍一下FFE技术。

FFE技术由英国真科（GENCOA）公司研发，以其内部可旋转的磁场为核心，大幅度改善了圆形平面阴极靶材利用率低、均匀性不理想的问题。

FFE技术的核心优势在于其高均匀性和高靶材利用率。通过内部可旋转的磁场，FFE技术能够实现镀膜过程中的均匀性控制。

其均匀性可达到优于±3%，同时靶材利用率也超过了40%。除了核心优势外，FFE技术还具有多种调节均匀性的方式。例如，通过改变磁铁阵列的转速（50-120 rpm），可以调整镀膜过程中的均匀性。

此外，调整磁铁相对于旋转中心轴的位置以及使用导磁片来调整磁场，也都是FFE技术中常用的均匀性调节手段。

 这些调节方式的多样性使得FFE技术能够适应不同镀膜需求，提高产品的质量和性能.

 FFE技术也很适用于半导体晶圆镀膜，其均匀区与圆形基片契合度很高，使得镀膜过程更加精确、高效。

此外，FFE技术的阴极靶材尺寸多样，有3~8英寸和10~17英寸可供选择，可满足不同尺寸晶圆的镀膜需求。

除了半导体行业外，FFE技术在其他领域也有着广泛的应用。例如，在光学、电子、航空航天等领域中，对于镀膜质量和均匀性要求较高的产品，都可以考虑采用FFE技术。FFE技术还有磁铁寿命长、旋转速度可调、高功率容量以及可直接冷却靶材等特点。

这些特点使得FFE技术在镀膜过程中具有更高的稳定性和可靠性。同时，其气体压力控制和真空水密封设计也确保了镀膜过程的精确性和安全性。

以下是靶材全寿命期间，运行不同kW‧h的时候，均匀性及靶材利用率测量（目标材料为Cu（C101）、功率为5 kW直流、气体为Ar、压力为5.9 E-3 mbar）

 0kW‧h

 230kW‧h

572kW‧h

1156 kW‧h

原靶材和背板重量