今天为大家介绍HSG的CCP离子源，CCP全称是Capacitively Coupled Plasma。即电容耦合等离子源。

这是一种广泛用于刻蚀工艺的离子源，能够以极高的精度和对材料的最小损伤来刻蚀晶圆等材料。

先给大家介绍一下HSG品牌的发展历史：

1994 – 全球首个中性等离子束离子源。

1996 – 首次 PE-CVD 工艺测试。

1998 – 首次引领线性离子源。

2001 – 用于沉积SiO2膜层的1米长离子源。

2005 – 全球范围等离子源环形系统安装。

2012 – 首个delta 束型离子源。

2014 – 收购HS Group等离子源业务。

2016 –开发首个长 1.8 m 的线性离子源QUATRON-L 1800。

CCP工作原理：

CCP离子源的主体由金属板组成，其通过两个电极和等离子体构成一个等效电容器，因此在这种结构中形成的等离子体称为电容耦合等离子源。

典型的 CCP 系统由单个射频(RF) 电源驱动，通常频率为 13.56 MHz。

离子源工作过程：

电极之间产生电场—电子获得能量— 撞击气体分子—碰撞使气体电离—产生二次电子。

当电场足够强时，会发生电子雪崩。产生大量的自由电子，此时气体变得导电。

此时通常会伴随可见光发射，肉眼可以观察到等离子体的产生，至此离子源启辉完成。

之后引出电极会通过电场将离子引出离子源，完成对基片的刻蚀工作。

主要特点

• 无需石英罩。
• 无需配备中和器。

• 耐工艺污染，无大金额易损件(无玻璃部件)。
• 唯一耗材且成本低 – 栅网。
  
• 中性平行等离子束(基片无静电)。
• 沉积速率高，可提供高能量（2000ev）且能量可调。
• 可选择聚束以及发散性离子束。
• 可选自动调节或手动调节。

• 等离子引出电极接地，无短路风险。
• 所有的工艺气体，包括反应性气体都可以使用；可在等离子室中混合多种气体进行操作。

技术参数

离子束中的离子能量可精确控制: 20 ... ~ 2000 eV 。

离子束电流密度可达 :6 mA/cm²，束型聚束可达更高。

标准压力范围: 1.10-4 – 5.10-3 mbar。

多种尺寸可选：QUATRON-L最长可以做到4000 mm。